Un articolo che propone e discute un metodo di analisi delle curve di mobilità elettronica e concentrazione dei portatori in funzione della temperatura nel semiconduttore β-Ga2O3, firmato da docenti del nostro dipartimento, è stato incluso nella selezione degli “Highlights 2016” della rivista Semiconductor Science and Technology. Il metodo analitico proposto permette la valutazione di parametri elettrici del materiale, come il livello di drogaggio e di compensazione, qualificanti per il controllo delle proprietà del materiale in relazione alle applicazioni:Analysis of the scattering mechanisms controlling electron mobility in β-Ga2O3 crystalsAntonella Parisini and Roberto Fornari 2016 Semicond. Sci. Technol.31 035023 View abstractView articlePDF Il Comitato Editoriale della rivista Semiconductor Science and Technology seleziona annualmente gli articoli che si distinguono fra quelli pubblicati in quell’anno, sulla base dell’eccellenza della ricerca presentata, dell’interesse suscitato presso la comunità scientifica di riferimento della rivista, e del giudizio dei referee. Gli “Highlights 2016” sono consultabili e scaricabili gratuitamente per tutto il 2017 alla pagina: http://iopscience.iop.org/journal/0268-1242/page/Highlights-of-2016Nella selezione 2016, l’accento é stato posto su tematiche emergenti quali: Wide-bandgap Semiconductors, Power Electronics, and Semiconductor Nanowires for Energy Harvesting and Storage.L’Ossido di Gallio (Ga2O3) è un semiconduttore ad ampia banda proibita di nuova generazione, molto promettente per elettronica di potenza ed opto-elettronica per luce ultravioletta. Questo materiale viene studiato da qualche anno anche a Parma dove, oltre allo studio del noto politipo β-Ga2O3 (monoclino) è stato sviluppato e caratterizzato il promettente politipo e-Ga2O3 (esagonale). Il team che porta avanti questa ricerca comprende docenti dell’Unità Fisica del Dip. SMFI, dell’Unità Chimica del Dip. SCVSA e dell’Istituto IMEM, con una vasta rete di collaborazioni nazionali ed internazionali. L’ottimo livello raggiunto dalla locale ricerca sugli ossidi semiconduttori è riconosciuto a livello internazionale, al punto tale che il team parmigiano è stato incaricato di organizzare a Settembre presso il Campus di Scienze e Tecnologie della nostra Università l’edizione 2017 dell’International Workshop on Ga2O3 and Related Materials. http://www.iwgo2017.unipr.it/
