Relatore: Roberta NipotiLuogo: Aula Newton Plesso FisicoE-mail organizzatore: raffaella.burioni@fis.unipr.itNote sul Relatore: CNR-IMM UOS di Bologna Abstract:Il Carburo di Silicio (SiC) è un materiale semiconduttore ad ampia gapproibita (circa 3 eV) con proprietà fisiche molto promettenti per losviluppo di una elettronica di potenza a bassissimo consumo di energia. Ilprimo dispositivo elettronico in SiC fu fabbricato nel 1906, ma solo neglianni ’90 la tecnologia di fabbricazione di wafer singolo cristallo è statatale da ipotizzare un promettente sviluppo di componenti elettronicicommerciali a base di SiC. Cosa che è effettivamente avvenuta nel corsodell’ultimo decennio. Nel 2013 il gestore della metropolitana di Tokyo haannunciato una riduzione, nel solo anno 2012, del 38.6% delle perdite dienergia a seguito dell’introduzione su tutti i treni di un nuovo sistemafrenante con elettronica in SiC. Vale la pena ricordare che l’Energiaoccupa il primo posto nella lista dei 10 problemi che l’umanità deveaffrontare nei prossimi 50 anni. Lo sviluppo di una elettronica di potenzain SiC sta permettendo di riprogettare i sistemi di generazione,distribuzione ed utilizzo dell’energia elettrica. Questo contemplaun’attività di ricerca che spazia dal materiale ai sistemi. Questoseminario mostrerà quali proprietà rendono il SiC un materialesemiconduttore tanto utile e quali ricerche sono in corso per megliocomprendere e sfruttare tali proprietà. Con l’occasione sarà presentataanche l’attività di ricerca sul SiC in corso presso il laboratorio CNR-IMMUOS di Bologna.
