Relatore: Roberta Nipoti

Luogo: Aula Newton Plesso Fisico

E-mail organizzatore: raffaella.burioni@fis.unipr.it

Note sul Relatore: CNR-IMM UOS di Bologna

Abstract:

Il Carburo di Silicio (SiC) è un materiale semiconduttore ad ampia gap

proibita (circa 3 eV) con proprietà fisiche molto promettenti per lo

sviluppo di una elettronica di potenza a bassissimo consumo di energia. Il

primo dispositivo elettronico in SiC fu fabbricato nel 1906, ma solo negli

anni ’90 la tecnologia di fabbricazione di wafer singolo cristallo è stata

tale da ipotizzare un promettente sviluppo di componenti elettronici

commerciali a base di SiC. Cosa che è effettivamente avvenuta nel corso

dell’ultimo decennio. Nel 2013 il gestore della metropolitana di Tokyo ha

annunciato una riduzione, nel solo anno 2012, del 38.6% delle perdite di

energia a seguito dell’introduzione su tutti i treni di un nuovo sistema

frenante con elettronica in SiC. Vale la pena ricordare che l’Energia

occupa il primo posto nella lista dei 10 problemi che l’umanità deve

affrontare nei prossimi 50 anni. Lo sviluppo di una elettronica di potenza

in SiC sta permettendo di riprogettare i sistemi di generazione,

distribuzione ed utilizzo dell’energia elettrica. Questo contempla

un’attività di ricerca che spazia dal materiale ai sistemi. Questo

seminario mostrerà quali proprietà rendono il SiC un materiale

semiconduttore tanto utile e quali ricerche sono in corso per meglio

comprendere e sfruttare tali proprietà.  Con l’occasione sarà presentata

anche l’attività di ricerca sul SiC in corso presso il laboratorio CNR-IMM

UOS di Bologna.