6 marzo 2014 Ore 16.30 - Roberta Nipoti - Carburo di Silicio: materiale semiconduttore a larga gap per una domanda energetica sostenibile.
Relatore: Roberta Nipoti
Luogo: Aula Newton Plesso Fisico
E-mail organizzatore: raffaella.burioni@fis.unipr.it
Note sul Relatore: CNR-IMM UOS di Bologna
Abstract:
Il Carburo di Silicio (SiC) è un materiale semiconduttore ad ampia gap
proibita (circa 3 eV) con proprietà fisiche molto promettenti per lo
sviluppo di una elettronica di potenza a bassissimo consumo di energia. Il
primo dispositivo elettronico in SiC fu fabbricato nel 1906, ma solo negli
anni ’90 la tecnologia di fabbricazione di wafer singolo cristallo è stata
tale da ipotizzare un promettente sviluppo di componenti elettronici
commerciali a base di SiC. Cosa che è effettivamente avvenuta nel corso
dell’ultimo decennio. Nel 2013 il gestore della metropolitana di Tokyo ha
annunciato una riduzione, nel solo anno 2012, del 38.6% delle perdite di
energia a seguito dell’introduzione su tutti i treni di un nuovo sistema
frenante con elettronica in SiC. Vale la pena ricordare che l’Energia
occupa il primo posto nella lista dei 10 problemi che l’umanità deve
affrontare nei prossimi 50 anni. Lo sviluppo di una elettronica di potenza
in SiC sta permettendo di riprogettare i sistemi di generazione,
distribuzione ed utilizzo dell’energia elettrica. Questo contempla
un’attività di ricerca che spazia dal materiale ai sistemi. Questo
seminario mostrerà quali proprietà rendono il SiC un materiale
semiconduttore tanto utile e quali ricerche sono in corso per meglio
comprendere e sfruttare tali proprietà. Con l’occasione sarà presentata
anche l’attività di ricerca sul SiC in corso presso il laboratorio CNR-IMM
UOS di Bologna.